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我國自主研發芯片應用于特高壓變電站二次設備

發布時間:2021-7-16     來源:科技日報

我國自主研發可控芯片應用于武漢1000千伏變電站二次設備,該電站于近日完成二次設備掛網招標。作為中國基建實力代表的特高壓變電站,這是第一次應用自主可控芯片。該次應用對我國實現芯片自主可控具有重要意義。

武漢1000千伏變電站本期新建二次及通信設備25類,其中自動化、直流電源及輔助設備12類,保護設備10類,通信設備3類。自主可控芯片試點中,自動化、直流電源及輔助設備中5類進行試點,保護設備10類全部進行試點,通信設備中1類進行試點,共計試點芯片設備16類,自主可控芯片試用率為64%

特高壓變電站二次設備運行所處電磁環境惡劣,其對電站的安全、可靠運行具有重要意義。其中,可控芯片是電站二次裝備核心器件,涉及電站關鍵裝置,掌握著電站命脈。

此前,變電站二次及通信設備芯片以往均依賴進口,核心技術發展受到限制,國內缺乏自力更生的技術支持,形勢不容樂觀。

2020年9月,國網特高壓事業部組織國網經濟技術研究院、中國電力科學研究院、中南電力設計院有限公司等單位成立專項工作組,以武漢1000千伏變電站為試點,對武漢站采用自主可控芯片的二次設備開展系列專題研究。

工作組首先確定試用原則和試用方案,本期掛網試運行具備芯片自主可控條件的控制保護設備;對于其他二次、通信設備,已完成研發檢測、能夠滿足投運時間要求的控制保護設備,均開展試用。

目前,絕大多數采用自主可控芯片的二次設備均可通過專項測試為推動自主可控芯片設備在電網工程中的應用落地。

武漢站自主可控芯片的大規模工業化應用,一方面將升級電力設備制造業;另一方面,標志著我國電力工控領域核心芯片從進口通用自主專用轉變,電力二次設備核心元器件做到了自主可控。此外,該芯片問世也將促進國內芯片行業的產業升級,從應用反饋升級到再應用的反復迭代,將促進自主可控芯片制造、芯片應用、芯片優化等的立體升級。

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